10月29號(hào)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地二期項(xiàng)目第三方檢測(cè)進(jìn)行公開招標(biāo)，經(jīng)過與合肥市多家檢測(cè)單位方案競(jìng)標(biāo)，二站材料所成功中標(biāo)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地二期項(xiàng)目位于合肥市經(jīng)開區(qū)空港產(chǎn)業(yè)園啟德路與團(tuán)肥路交口西南地塊二期地塊內(nèi)，項(xiàng)目總建筑面積約 62 萬平米，其中包含五間廠房（FAB2-1、FAB2-2、WWT、CUB、PMD）、市政道排CCYV及其他配套設(shè)施。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將取得世界DRAM市場(chǎng)約9%份額，也有效地填補(bǔ)國內(nèi)DRAM市場(chǎng)的空白，躋身全球DRAM主要廠商之列，成為絕對(duì)的國內(nèi)半導(dǎo)體巨頭，合肥將跨入世界級(jí)存儲(chǔ)器制造重鎮(zhèn)的行列。

本次投標(biāo)時(shí)間緊、任務(wù)重，自得到招標(biāo)信息后，站領(lǐng)導(dǎo)十分重視，針對(duì)項(xiàng)目精心布置投標(biāo)工作，項(xiàng)目成員認(rèn)真研究招標(biāo)文件，領(lǐng)會(huì)招標(biāo)意圖，制定了周密的工作計(jì)劃，事前準(zhǔn)備并精心組織實(shí)施，高效率高質(zhì)量編制投標(biāo)文件。最終，憑借優(yōu)秀的檢測(cè)方案和合理的報(bào)價(jià)，贏得了招標(biāo)單位的肯定，順利中標(biāo)。